Forscher*innen des Infineon-Kompetenzzentrums in Villach verzeichneten erneut einen Durchbruch in der Halbleitertechnologie. Erstmals weltweit gelang die Herstellung und Verarbeitung von ultradünnen Silizium-Power-Wafern mit einer Dicke von nur 20 Mikrometern. Diese sind nur etwa ein Viertel so dick wie ein menschliches Haar und halb so dick wie die bisher branchenüblichen Wafer. Der Leistungsverlust in Stromversorgungssystemen kann damit um mehr als 15 % reduziert werden – ein z. B. für Rechenzentren entscheidender Schritt in Richtung Energieeffizienz.